第一百九十一章 氮化镓 (第3/4页)

安部内部网站查到相关的档案资料。

    随后，陈新登上了一辆开往中部内陆省份的高速列车，在一个不知名的县级市下了车。

    然后陈新用新身份租下了一个两室一厅的公寓，又花钱买了一辆二手的中型集装箱卡车。

    一系列布置完成后，陈新通过网络高价订购的一批高纯度的金属镓也顺利到货。

    这种曾经被门捷列夫预言过的金属元素主要用于电子工业和通讯领域，其化合物砷化镓非常重要的二代半导体，也是陈新制造相控阵雷达t/r组件的主要原材料。

    历史上，砷化镓于1964年进入实用阶段。

    砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。

    由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。

    用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温x" />能好、噪声小、抗辐s" />能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。

    不过虽然砷化镓是半导体材料中兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热x" />差，并不适宜制作大功率器件。

    因此对于雷达的t/r组件而言，砷化镓器件功率小的缺陷x" />就显现出来了。

    这个时候，新一代半导体材